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17/05/2009 -La revolución del grafeno cada vez más cerca
- Creado en Sábado, 16 Mayo 2009 22:36
- Última actualización el Lunes, 18 Mayo 2009 22:46
- Publicado el Sábado, 16 Mayo 2009 22:36
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Mucho se ha oído hablar de la revolución que provocarán los computadores cuánticos, pero poco se ha oído hablar de la revolución que puede suponer el grafeno para incrementar la velocidad de los ordenadores en un futuro no muy lejano. El grafeno es una estructura laminar plana, de un átomo de grosor, compuesta por átomos de carbono densamente empaquetados en una red cristalina en forma de panal de abeja. El grafeno que ha demostrado en investigaciones ser el material más fuerte a nivel microscópico(macroscópicamente es difícil conseguir una muestra de grafeno perfecto) es de gran interés para la industria del microchip debido a que para fabricar los transistores el material que se use debe ser capaz de soportar la tensión a que se ven sometidos durante su fabricación y al calor generado. Si el material no lo soporta el proceso utilizado para estampar conexiones eléctricas metálicas en los microprocesadores ejerce una tensión que provocará que los chips sean inservibles.
En 2007 el transistor más pequeño del mundo fue fabricado con grafeno por el profesor Andre Geim y el doctor Kostya Novoselov, de la Escuela de Física y Astronomía de la Universidad de Manchester que sólo tenía un átomo de ancho y cincuenta átomos de largo. La tecnología basada en el silicio está a punto de alcanzar el mínimo tamaño posible, y la ventaja del grafeno es que se muestra estable a escalas en las que el silicio no lo hace.
La semana pasada un comunicado de la Universidad de Florida anuncio que investigadores de esa universidad, junto con otros de la Universidad de Stamford y del Lawrence Livermore National Laboratory habían dado un paso decisivo hacia la creación de microchips de grafeno, ya que habían conseguido zonas de transistores de tipo-N. Los transistores contienen dos tipos de zonas: P y N. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). La zonas de tipo-P con grafeno ya habían sido logrados pero hasta ahora no se había conseguido las de tipo-N. Así, este nuevo paso completa los bloques fundamentales para que comience el desarrollo de la tecnología de semiconductores de grafeno.
http://news.ufl.edu/2009/05/07/graphene/